Назначения
Установка предназначена для напыления однослойных и многослойных покрытий тонких пленок методом магнетронного распыления. Реализована возможность напылять многослойные покрытия из двух или трех различных материалов в одном рабочем цикле.
Столкновение высокоэнергетических частиц содержащихся в плазме эмитируют атомы с поверхности материала мишени, которые конденсируются на поверхности подложки создавая пленку на подложке. Процессы магнетронного напыления происходят при более высоком давлении чем в испарении. Процессы могут происходить и на меньшей длине свободного пробега атома. Пленки полученные методом магнетронного распыления имеют стехиометрию лучше представляющую состав материала мишени, чем состав полученный методом испарения. Определенно, процесс имеет преимущества по уровню адгезии получаемых пленок из-за более высокой энергии воздействия частиц.
Техническая спецификация
В качестве рабочего газа в данной установке используется аргон. Установка обладает следующими преимуществами:
|
Режим работы |
Стационарный |
|
Рабочий газ |
He, Ar, H 2 |
|
Магнитное поле, Тл |
до 0,5 |
|
Давление рабочего газа, Торр |
5·10−7–5·10−3 |
|
Давление остаточного газа, Торр |
5·10−8 |
|
Мощность инжектируемого электронного пучка, кВт |
до 10 |
|
Плотность генерируемой плазмы, м−3 |
до 1018 |
|
Электронная температура, эВ |
до 25 |
|
Отрицательное смещение на катоде относительно заземленного анода, кВ |
0–2 |
